DIN 2254 T.2-1979 精密机械用的公称直径1至315mm的不过端环规

作者:标准资料网 时间:2024-05-10 02:22:49   浏览:9738   来源:标准资料网
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【英文标准名称】:NOTGOringgaugesfrom1mmupto315mmnominaldiameterforuseinprecisionengineering
【原文标准名称】:精密机械用的公称直径1至315mm的不过端环规
【标准号】:DIN2254T.2-1979
【标准状态】:作废
【国别】:
【发布日期】:
【实施或试行日期】:
【发布单位】:德国标准化学会(DE-DIN)
【起草单位】:
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:
【英文主题词】:
【摘要】:
【中国标准分类号】:
【国际标准分类号】:
【页数】:
【正文语种】:


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基本信息
标准名称:重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
英文名称:Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance
中标分类: 冶金 >> 半金属与半导体材料 >> 半金属与半导体材料综合
ICS分类: 电气工程 >> 半导体材料
替代情况:替代GB/T 14847-1993
发布部门:中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
发布日期:2011-01-10
实施日期:2011-10-01
首发日期:1993-12-30
作废日期:
主管部门:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
起草单位:宁波立立电子股份有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心
起草人:李慎重、何良恩、许峰、刘培东、何秀坤
出版社:中国标准出版社
出版日期:2011-10-01
页数:12页
书号:155066·1-42666
适用范围

本标准规定重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。
本标准适用于衬底在23℃电阻率小于0.02Ω·cm 和外延层在23℃电阻率大于0.1Ω·cm 且外延层厚度大于2μm 的n型和p型硅外延层厚度的测量;在降低精度情况下,该方法原则上也适用于测试0.5μm~2μm 之间的n型和p型外延层厚度。

前言

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引用标准

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T1552 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
GB/T6379.2 测量方法与结果的准确度(正确度与精密度) 第2部分:确定标准测量方法重复性与再现性的基本方法
GB/T14264 半导体材料术语

所属分类: 冶金 半金属与半导体材料 半金属与半导体材料综合 电气工程 半导体材料