SJ 1551-1979 硅外延层电阻率测试方法(电容-电压法)(暂行)
作者:标准资料网
时间:2024-05-20 17:13:38
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基本信息
| 标准名称： | 硅外延层电阻率测试方法(电容-电压法)(暂行) |
| 英文名称： | Method of measurement for resistivity of silicon epitaxial layer (capacitance-voltage method) (Provisional) |
| 中标分类： | 冶金 >> 半金属与半导体材料 >> 半金属 |
| 发布部门： | 中华人民共和国第四机械工业部 |
| 发布日期： | 1980-03-01 |
| 实施日期： | 1980-06-01 |
| 首发日期： | |
| 作废日期： | 2010-02-01 |
| 出版日期： | 1980-06-01 |
| 页数： | 4页 |
适用范围
本标准规定了N/N、P/P结构硅外延片的净杂质浓度，通过净杂质浓度与电阻率的关系曲线，可求得电阻率。
前言
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目录
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引用标准
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所属分类： 冶金 半金属与半导体材料 半金属
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